中国空间科学技术 ›› 2017, Vol. 37 ›› Issue (2): 32-38.doi: 10.16708/j.cnki.1000-758X.2017.0039

• 二次电子发射特性 • 上一篇    下一篇

考虑低能电子影响的二次电子修正模型

 彭凯1, 李晶2, 张颖军1, 苏晨1, 崔万照1,*   

  1. 1中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室,西安710100
    2中国文昌航天发射场指挥控制中心,文昌571300
  • 收稿日期:2016-08-31 修回日期:2017-02-07 出版日期:2017-04-25 发布日期:2017-03-17
  • 作者简介:彭凯(1987-),男,工程师,pklxtx@163.com,研究方向为空间航天器特殊效应 *通讯作者:崔万照(1975-),男,研究员,cuiwanzhao@126.com,研究方向为空间大功率微波技术
  • 基金资助:

    国家自然科学基金(U1537211,11605135)

Amodifiedmodelfortheemissionofsecondaryelectronsbylowenergyelectronimpact

 PENG  Kai1, LI  Jing2, ZHANG  Ying-Jun1, SU  Chen1, CUI  Wan-Zhao1,*   

  1. 1NationalKeyLaboratoryofScienceandTechnologyonSpaceMicrowave,ChinaAcademyofSpaceTechnology(Xi′an),  Xi′an710100,China
    2MissionCommandandControlCenterofChinaWenchangSpaceCenter,Wenchang571300,  China
  • Received:2016-08-31 Revised:2017-02-07 Published:2017-04-25 Online:2017-03-17

摘要: 随着微放电效应研究的不断深入,低能电子影响在微放电过程中越来越不可忽视。当前常用的微放电模型在处理低能电子问题上具有一定的局限性,为了精确模拟这一过程,在深入研究二次电子和背散射电子发射理论的基础上,分别针对材料表面条件不同引起的二次电子发射系数不确定性、低能电子的背散射系数以及电子入射角等问题进行了分析和讨论,并在此基础上建立了一个二次电子发射模型,最后通过数值计算讨论了模型的正确性和适用范围。这一模型同时考虑材料表面条件参数、低能电子的背散射系数以及入射角等因素影响,能够兼容较低能量电子的二次发射,提升微放电数值模拟的精确度和适用性,为微放电数值模拟的发展起到推进作用。

关键词: 微放电效应, 低能电子, 二次电子发射模型, 背散射电子, 入射角

Abstract: Withthefurtherofstudyofthemultipactor,effectsoflowenergyelectronshadbecomemoreand moreimportant.Inordertosimulateandanalyzemultipactortheoryaccurately,onthebasisofresear chforsecondaryandbackscatteredelectronemissionmodel,anewmodelwasputforwardbased onsecondaryelectronyield(SEY),backscatteredelectronyield(BEY) andtheangleofelectronincidence.ConsideringthedifferenceofSEY,BEYoflowenergyelectron,a ndcompactingseveralsecondaryand backscatteredelectronyieldformulae,thenewmodelformultipact orhadabetterprecisionandapplicability.Finally,somediscussionandanalysiswasdoneforimprovingthecorrectnessandbroadeningthe applicationofthemodel.

Key words: multipactor, lowenergyelectron, secondaryelectronemissionmodel, backscatteredelectron, theangleofincidence