中国空间科学技术 ›› 2017, Vol. 37 ›› Issue (4): 75-83.doi: 10.16708/j.cnki.1000-758X.2017.0065
• 技术交流 • 上一篇
欧阳琪, 王文文*, 郝维昌
OUYANG Qi , WANG Wen-Wen*, HAO Wei-Chang
摘要: 利用射频磁控溅射法制备出具有良好光电性能的In2O3: W(IWO)薄膜,与购置的In2O3: Sn(ITO)薄膜一起,在伽马射线地面加速模拟试验设备中进行辐照试验。对辐照前后两种薄膜样品的微观结构、表面形貌、光电性能和元素价态进行对比分析,并用正电子湮没方法研究辐照前后的缺陷情况。结果表明,伽马射线辐照可引起ITO及IWO薄膜样品中氧空位缺陷的少量增加,且缺陷主要产生于薄膜表层及薄膜与基底界面结合处。高能伽马光子作用于透明导电氧化物薄膜,主要通过破坏其内部结合能较低的化学键,并实现薄膜系统中元素之间的选择性重组。ITO与IWO具有良好的抗伽马辐照性能,IWO相比ITO更适合于抗伽马辐照相关应用。