中国空间科学技术
漏极注入HPM对高电子迁移率晶体管的损伤机理
薛沛雯, 方进勇, 李志鹏, 孙静
DamagemechanismofthehighelectronmobilitytransistorinducedbyHPMfromdrainelectrode
XUE Pei-Wen, FANG Jin-Yong, LI Zhi-Peng, SUN Jing
中国空间科学技术 . 2017, (2): 93 -100 .  DOI: 10.16708/j.cnki.1000-758X.2017.0016